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富士康新技术进步LED的量子功率

来源:http://www.seamec2009.com 责任编辑:博天堂官网 2018-04-16 06:02

  

  电子制造商富士康(Foxconn)开宣布运用纳米微粒掺杂限制层(confining layer)的方法来,让氮化铟镓(InGaN)与砷化铝镓(AlGaAs)活性层的晶格摆放更滑润有序,借此来提高发光二极管(LED)的量子功率。这项美国专利的请求将应战现在LED芯片厂的制程技能。

  鸿海精细股份有限公司(Hon Hai Precision Industry Co)藉由集团子公司富士康为Nokia、Apple与DELl等世界大厂代工。富士康是现在全球最大的电子制造商之一,他们声称以氢化的碳化硅(hydrogenated SiC)作为LED的基板资料,能够有用改进LED芯片的散热问题。他们在5月28日提出两项LED专利的请求。

  这个总部在台湾地区的公司请求的两项LED专利,规模包含运用InGaN或AlGaAs作为活性层、单量子阱或多重量子阱层。富士康的LED与一般LED外延结构的不同在于,前者在活性层两边的限制层掺杂了直径20-200 nm的纳米微粒。富士康新技术进步发明人陈杰良(Ga-Lane Chen)为鸿海集团的首席技能官,他在专利请求书中指出,掺入的纳米微粒能够是氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氧化镓(GaO)、广东“九大”照明品牌灯具,氮化镓(AlN)或氮化硼(BN),将有助于改进LED裸晶的芯片质量。蓝宝石在LED及消费电子职

  专利中写道,纳米微粒能够改动n型与p型限制层的晶格常数(lattice constant),进而削减晶格的应变。经过减小应变,在n型限制层上堆积活性层以及在活性层上堆积p型限制层时,能够下降晶格错位(dislocations)发生的时机。此外,晶格应变减小也会使活性层与限制层间的应力下降,进而改进量子功率。

  鸿海于2001年创建沛鑫半导体工业股份有限公司(Foxsemicon Integrated Technology Inc.,FITI),做为专门研制出产TFT-LCD、LED照明与LED显示器的子公司。广东东莞:市行政就事中心,从2006年起迄今,鸿海精细、LED的量子功率沛鑫半导体与富士康已经在美国请求了一些LED芯片的专利。